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标题: 业界领先三星量产20nm 8Gb DDR4内存 [打印本页]

作者: 创客 时间: 2014-10-22 14:47
标题: 业界领先三星量产20nm 8Gb DDR4内存
16GB 和 32GB 容量的内存现在已经很常见了，只有 64GB 和 128GB 非常罕见，不过这对于三星而言，似乎并不是难事。日前，全球最大半导体供应商之一的三星，正式宣布正在开始量产两个业界最先进内存模块，分别为 8Gb (gigabit) DDR4 内存芯片和 32 GB (gigabyte)  的内存模块。从技术层面上讲，第二个产品基于第一个产品打造。

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8Gb DDR4 DRAM 基本上同等于 1GB 的储存空间，通过 20nm 的制造工艺打造，确保了体积将更小密度更高。原本三星的 4Gb 芯片最多能打造出 64GB 容量的内容模块，但此次三星还引入了 3D TSV 硅穿孔封装技术，使用新的 8Gb DDR4 DRAM 也可以生产出 128GB 的内存来。

三星表示，全新的 20nm  8Gb DDR4 内存兼具高性能、高密度和高能源效率的特性。不过，该内存芯片目前只针对企业客户打造，所以不久后我们会看到一些厂商将通过批量的方式下订单，用于打造自己的主板或者内存 PCB 板。

新 32GB DDR4 内存模块的传输速度达到 2400Mbps，相比上一代  DDR3 产品（1866Mpbs）性能上快 29%。虽然普通用户通常使用的是 1600Mbps 速度的 DDR3 内存，但在企业应用中很少看到速度低于 1866Mpbs 的内存。新的 DDR4 大幅降低了供电的需求，仅 1.2v 电压，提速且更省电对于企业打造大型数据中心或云储存十分有利。

三星两个新产品目前都已经发售，价格只根据订单规模向企业客户提供。当然，三星也提供基于 20nm 的 4Gb DDR3 的 PC 内存以及同工艺的 6Gb LPDDR3 的移动设备内存。不出意外的话，再过一段时间三星就会正式推出通过 3D TSV 硅穿孔技术打造出高达 128GB 容量的 DDR4 内存了。

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