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标题: 国产将有32层3D NAND闪存，虽然三星快100层了 [打印本页]

作者: 创客 时间: 2016-10-26 11:35
标题: 国产将有32层3D NAND闪存，虽然三星快100层了
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　　如果不是科技产品发烧友或者专业人士，说到存储芯片的时候我们可能首先想到的是三星、金士顿等国外品牌，而不会第一时间想到国产存储芯片。

　　虽然中国是众多科技产品的代工地，拥有丰富的零部件，然而，像处理器、屏幕和存储芯片的这样的关键部件，国产产品还是与国际品牌有差距。

　　为了缩小我们与国际厂商的差距，我国各地正在斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。比如，北京紫光集团宣布300亿美元做存储器，武汉新芯耗资240亿美元打造国家级存储器基地，另外合肥在建设IC之都。

　　今年7月份，紫光对武汉新芯集成电路制造有限公司进行收购，这意味着中国最出色的两家芯片厂商实现了强强联合。紫光去年的芯片出货量达到10万颗。

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　　在被紫光收购之后，武汉新芯计划于明年推出32层堆叠3D NAND闪存，也许这项技术相比三星来说差距依旧存在，但也算是国产迈出的值得纪念的一步。作为对比，三星已经实现48层3D V-NAND闪存技术和64层3D-V-NAND闪存技术，正在冲击100层以上的NAND闪存。

　　好了，不说别人了，说我们吧。

　　今年7月份，紫光集团收购了新芯科技多数股份之后，随即成立了武汉长江存储科技（TRST），按照计划，长江存储最快在 2017 年底，就将正式推出中国本土生产的 32 层堆叠 3D NAND 闪存，预计会在 2018 年底前推出 48 层堆叠的 3D NAND 闪存。

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