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国产将有32层3D NAND闪存,虽然三星快100层了

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发表于 2016-10-26 11:35:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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国产将有32层3D NAND闪存,虽然三星快100层了

国产将有32层3D NAND闪存,虽然三星快100层了


  如果不是科技产品发烧友或者专业人士,说到存储芯片的时候我们可能首先想到的是三星、金士顿等国外品牌,而不会第一时间想到国产存储芯片。

  虽然中国是众多科技产品的代工地,拥有丰富的零部件,然而,像处理器、屏幕和存储芯片的这样的关键部件,国产产品还是与国际品牌有差距。

  为了缩小我们与国际厂商的差距,我国各地正在斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。比如,北京紫光集团宣布300亿美元做存储器,武汉新芯耗资240亿美元打造国家级存储器基地,另外合肥在建设IC之都。

  今年7月份,紫光对武汉新芯集成电路制造有限公司进行收购,这意味着中国最出色的两家芯片厂商实现了强强联合。紫光去年的芯片出货量达到10万颗。

国产将有32层3D NAND闪存,虽然三星快100层了

国产将有32层3D NAND闪存,虽然三星快100层了



  在被紫光收购之后,武汉新芯计划于明年推出32层堆叠3D NAND闪存,也许这项技术相比三星来说差距依旧存在,但也算是国产迈出的值得纪念的一步。作为对比,三星已经实现48层3D V-NAND闪存技术和64层3D-V-NAND闪存技术,正在冲击100层以上的NAND闪存。

  好了,不说别人了,说我们吧。

  今年7月份,紫光集团收购了新芯科技多数股份之后,随即成立了武汉长江存储科技 (TRST),按照计划,长江存储最快在 2017 年底,就将正式推出中国本土生产的 32 层堆叠 3D NAND 闪存,预计会在 2018 年底前推出 48 层堆叠的 3D NAND 闪存。
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